Плазменные технологические установки схемы

плазменные технологические установки схемы
Температурный режим в процессе переработки модельных отходов соответствовал расчетным значениям. Приведём те же расчеты, но в долларах в ценах за электроэнергию для Беларуси: 1 кВт электроэнергии приблизительно стоит 17 центов. В стандартном изготовлении установки цена качественной полировки составляет 13,6 долларов. Температура в плазменной дуге может достигать 25000–30000°С. Фото. Перед выбросом в атмосферу отходящие газы проходят дополнительную санитарную очистку в абсолютном фильтре. Для зажигания дуги в сварочной установке имеются осцилляторы дежурной и основной дуги. Поскольку напряжение насыщения ионного тока в плазме ВЧИ-разряда не превышает нескольких десятков вольт, удаётся получить сочетание высоких плотностей тока (а, значит, высоких скоростей процесса) с относительно низкой энергией ионов при давлениях 0,1..1 Па. ↑ Горовитц Б., Сайа Р. Дж. и др.


Рисунок. Схема режущего плазмотрона В корпусе плазмотрона находится цилиндрическая дуговая камера небольшого диаметра с выходным каналом, формирующим сжатую плазменную дугу. При плазменной разделительной резке кроме отклонений от заданных размеров и форм кромок вырезаемых деталей происходят видимые и невидимые изменения качества поверхностей реза. При возникновении вопросов свяжитесь с нами по адресу:. Разрежение, создаваемое дымососом, регулируют специальным шибером. В случае необходимости дополнительный объем воздуха для дожигания и охлаждения потока отходящих газов можно подавать от внешней цеховой системы или специальной воздуходувки.

Объем дымовых газов процесса плазменной переработки отходов перед выбросом в атмосферу достигает 8-11 м3 на 1 кг переработанных отходов, тогда как при сжигании отходов этот показатель достигает значения 19–22 м3/кг отходов. Поскольку медь обладает высокой теплопроводностью и теплоемкостью, для ее обработки требуется более мощная дуга, чем для разрезания сталей. Вес упаковок колебался от 2 до 20 кг; в основном, упаковки имели вес 8-10 кг. Расстояние между поверхностью разрезаемого металла и торцом наконечника резака должно оставаться постоянным. Для получения обратной селективности — травления диоксида кремния — применяется CF4. Последний процесс, в частности, используется для удаления базового оксида с поверхности подложки перед проведением дальнейших операций травления или осаждения. Сдерживающим фактором в развитии плазменных технологий переработки РАО являются высокие степени уноса легколетучих радионуклидов (десятки процентов), прежде всего, цезия-137, из плавителей и других высокотемпературных узлов плазменных установок.

Похожие записи: