Схема драйверов для управлением мощными транзисторами

схема драйверов для управлением мощными транзисторами
Имеет наименьшее значение выходных токов и достаточно большие задержки включения. В драйвер интегрирована логика защиты от одновременного включения силовых транзисторов и DeadTime 100 нс. Причина в том, что затворы мощных MOSFET-ов имеют довольно большую емкость (доходящую до нескольких тысяч пикофарад), т.е. драйверы вынуждены работать на большую емкостную нагрузку. Конденсатор дает сдвиг уровня выходного напряжения драйвера, который зависит от относительной длительности управляющих импульсов. Собранное устройство выглядит вот так: Разводка как всегда под SMD, платы драйверов установлены в специальные разъёмы, вертикально относительно основной платы. Действие Изменение выходного напряжения драйвера от +18 до –5 В в зависимости от управляющего сигнала позволяет надежно управлять IGBT-модулями любой мощности и от любого производителя. Его полная схема представлена на рис.12. Рис.12. Схема силового модуля. В качестве ключей использованы транзисторы IXFH30N50 фирмы IXYS. Они почему-то гораздо дешевле аналогичных приборов других производителей.


Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги :). А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Единого рецепта здесь нет, но нужно придерживаться нескольких простых правил, уменьшающих паразитные индуктивности (либо эффекты от их наличия). Суть этих правил в следующем. 1. Силовые проводники, по которым текут коммутируемые токи, нужно делать как можно короче, прямее и толще. Для этого существует ряд известных способов, в частности, правильный выбор тока защиты, выбор резистора затвора Rg и использование цепей, формирующих траекторию переключения. Рассмотрим некоторые детали реализации выпрямителя. В качестве выключателя и предохранителей можно взять обычный бытовой сдвоенный автомат на 10-16 ампер.

Драйвер обеспечивает согласование по уровням токов и напряжений с большинством IGBT и мощных полевых транзисторов с предельно допустимыми напряжениями до 1700 В, защиту от перегрузок или КЗ, недостаточного уровня напряжения на затворе транзистора. Это способствовало бы более широкому внедрению технологий индукционного нагрева в лабораторную практику. Более того, применение схемы, представленной на рисунке 4, повышает помехоустойчивость и надежность за счет подачи отрицательного напряжения к затвору в закрытом положении. Если этот статусный вывод подключить по схеме, представленной на рис.11, то аварийной ситуации будет соответствовать высокий уровень напряжения на нем (+5 В). Нормальной работе драйвера будет соответствовать низкий уровень напряжения на этом статусном выводе.

Похожие записи: